一、考慮電流和電壓需求
在選用整流橋時(shí)，電流和電壓是首要考慮的參數(shù)。常見的電流額定值為1A、5A、10A等，不同功率需求的應(yīng)用場景需要對應(yīng)的電流容量，以確保整流橋能承受負(fù)載電流。電流選型應(yīng)考慮到浪涌電流的情況，特別是在電容濾波負(fù)載的應(yīng)用中，浪涌電流可能遠(yuǎn)超出平均電流。因此，選擇具備一定浪涌電流耐受能力的整流橋是必要的。
電壓方面，通常建議整流橋的額定反向電壓（VRRM）為實(shí)際輸入電壓的1.5倍或更高，以確保其能應(yīng)對電源電壓的波動(dòng)，避免因電壓過高導(dǎo)致?lián)p壞。以220V AC的電源為例，整流橋應(yīng)至少選擇600V的反向電壓。
二、溫度管理與散熱設(shè)計(jì)
整流橋在工作過程中會產(chǎn)生熱量，尤其在大電流、高頻率應(yīng)用中，溫升尤為顯著。確保合適的散熱設(shè)計(jì)，有助于整流橋的穩(wěn)定性和使用壽命。選型時(shí)應(yīng)關(guān)注產(chǎn)品的熱阻（RθJA 或 RθJC），在設(shè)計(jì)時(shí)可通過加裝散熱器或優(yōu)化PCB布線散熱，確保整流橋的溫度不會超過最大結(jié)溫（Tj Max）。
例如，在大功率場景中，建議選擇帶有金屬外殼的整流橋模塊，這類模塊一般具有更低的熱阻，有助于散熱效率。對于標(biāo)準(zhǔn)功率場合，則可選用封裝尺寸較小的整流橋，以節(jié)省空間并確保適當(dāng)?shù)纳岘h(huán)境。
三、封裝與安裝方式
整流橋的封裝類型多樣，常見封裝包括DIP、SIP、SMD等，不同的封裝方式適用于不同的安裝需求。在選擇封裝時(shí)應(yīng)考慮電路板布局、空間限制以及散熱方案的便捷性。例如，對于功率較小且空間有限的應(yīng)用，可選擇SMD封裝，它適用于自動(dòng)化生產(chǎn)，但散熱效果可能不如大尺寸的封裝。
對于功率較大且對散熱要求較高的場合，可選擇金屬外殼封裝（如KBPC系列）或具有通孔封裝的整流橋（如GBJ系列），這些封裝類型一般具有良好的散熱能力和機(jī)械強(qiáng)度。
四、瞬態(tài)電壓保護(hù)能力
整流橋在工作中，往往會受到來自電網(wǎng)或負(fù)載的瞬態(tài)電壓沖擊，這些瞬態(tài)脈沖可能導(dǎo)致整流橋損壞。為此，可選擇具備一定抗瞬態(tài)電壓（如反向浪涌電壓）的整流橋，或在輸入端添加TVS二極管等保護(hù)器件，以增強(qiáng)系統(tǒng)的耐受能力。
此外，設(shè)計(jì)人員在選擇整流橋時(shí)，也應(yīng)考慮整流橋的最大浪涌電流參數(shù)（IFSM）。IFSM代表整流橋在瞬態(tài)情況下（如啟動(dòng)瞬間）所能承受的最大電流，通常建議選擇IFSM足夠高的型號，以防止瞬態(tài)沖擊導(dǎo)致的設(shè)備失效。
五、考慮效率與開關(guān)損耗
在開關(guān)電源中，整流橋的正向壓降會影響整個(gè)系統(tǒng)的效率。硅基整流橋的正向壓降較高，而肖特基二極管整流橋的正向壓降相對較低，適用于效率要求高的場合。然而，肖特基整流橋的反向耐壓相對較低，適合低壓應(yīng)用場合，因此應(yīng)根據(jù)實(shí)際電壓選擇適當(dāng)?shù)恼鳂蝾愋汀?br /> 另外，隨著電源設(shè)計(jì)頻率的提高，整流橋的開關(guān)損耗問題也需重視。快恢復(fù)二極管整流橋或超快恢復(fù)二極管整流橋具有較短的反向恢復(fù)時(shí)間，可有效降低高頻應(yīng)用中的開關(guān)損耗。
六、性價(jià)比的平衡
在滿足應(yīng)用需求的基礎(chǔ)上，還需考慮整流橋的性價(jià)比。高性能整流橋的價(jià)格往往較高，因此在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)計(jì)者需要在成本與性能之間找到平衡點(diǎn)。對一些低成本應(yīng)用，選擇常規(guī)整流橋即可滿足需求；而對于高可靠性或高效能要求的場合，則可以選擇性能更優(yōu)的整流橋，即使成本較高，也能帶來長期的價(jià)值。
MDD整流橋的選型涉及多方面的考量，包括電流、電壓、溫度管理、封裝、瞬態(tài)電壓保護(hù)、效率以及成本等。
